Пин Груп

телефон/факс:

pin-g2@ukr.net

График работы:

пн-пт: 8:30-17:00

сб, вс - выходные

Микросхема 448ГГ1Б
  • Микросхема 448ГГ1Б
  • Вариант наименования 448GG1B

Микросхема 448ГГ1Б

Артикул: A01102-1

Микросхемы 448ГГ1Б

от 1 и более — по запросу
UAH
Микросхемы 448ГГ1Б используются для того, чтобы уменьшать количество потребленной электроэнергии и числа генераторов. Их характеристики намного хуже, чем у внешних преобразователей.
    Транзисторный частотный преобразователь лучше употреблять в приемниках с короткими, средними и длинными сигналами. Такие приемники с миллиметровыми волнами располагают преобразователями, имеющие диодные смесители.
    Частоты сигналов в похожих преобразователях обычно становится меньше, это значит, что на выходе они составляют гораздо ниже, чем электрические сигналы на входе.
    Состав представленных приборов состоит из определенных смесителей, получающие элктросигналы, а также гетеродина (его напряжение вполне может полностью менять их параметры). Выход на смесителях располагает установленным импульсом перестроенных электрочастот. Данные преобразователи, которые располагают гетеродином, используют электронное, общее устройство. Прежде, чем купить то или иное устройство следует учесть все характеристики и свойства разных микросхем. От выбора будет обусловливаться работа электроустройства.
Микросхемы 448ГГ1Б и их основные характеристики
1.     Коэффициенты передач электричества равно напряжению, а также мощи сигналов на входе стабилизатора.
2.     Входные и выходные проводимости на частотах импульсов.
3.     Коэффициент шума.
4.     Коэффициенты нелинейного искажения.
5.     Снижение каналов.
6.     Насыщенность комбинационного свиста.
Каким образом происходит проектирование преобразователя? Сигналы входной представленной микросхемы 448ГГ1Б отправляется на базу смесителей транзисторов. Там же входящая проводимость смесителей уменьшается. Напряжение гетеродина идет в цепи эммитеров смесителей, благодаря этому смесители остаются включенными. Связь между цепями ослабляется во время подачи сигналов на электроды. В то же время увеличивается входящая проводимость смесителя.
В коллектор смесителя помещают специальные фильтры. С помощью резисторов подается напряжение отрицательных смещений на базы транзистора. В устройствах, у которых высокие частоты происходит противоположное преобразование.
    Для того, чтобы ослабить свист и приемный побочный канал, смесители должны эксплуатироваться с отсутствием коллекторного электричества. При этом шумовой коэффициент преобразователя в полтора раза выше усилителей с таким же распорядком зарядки устройства.
Частотный преобразователь на транзисторах
    Напряжение сигнала и гетеродина в частотных преобразователях вводится среди затвора и истока. Применяя параметры полевых транзисторов, имеющие указанные микросхемы 448ГГ1Б, выбирается напряжение смещения, которое составляет половину значений напряжения на отсечках. Сумма единиц перепады импульсов и гетеродина не превышает напряжение смещения.
    Электричество, проходящее вблизи стока и истока, не должен понижать число напряжения мгновенного электричества и отсечки, проходящего вблизи с истоком и затвором. Если совпадут фазы тока, мгновенное напряжение между стоком и истоком будет больше напряжения истоков отсечки.
    Во время смещений появляется определенное искажение комбинационной частоты и тока затвора, больше того, возрастает входящая проводимость. Она же снижает избирательность входных контуров и стабильную работу гетеродина. Коэффициенты шумов монтируются на данных приборах таким же образом, как и коэффициенты шума преобразователей, у которых есть двухполюсные транзисторы.
Активные частотные преобразователи
    Транзисторные, активные преобразующие элементы помогают предоставить увеличение преобразуемых импульсов. В данных устройствах легче достигнуть балансировки и согласования с внешней цепочкой.
     Микросхемы 448ГГ1Б и принцип их работы вовсе не рознится от генераторных, лишь обеспечением транзисторных режимов по переменному и стабильному току.